肖克利半導體實驗室, 位于美国山景城的实验室
肖克利半导体实验室是位于加利福尼亚州山景城的一个设施，专注于硅基晶体管的开发。该场所致力于制造硅晶体管和制造生产单晶硅元件所需的晶体生长系统。
威廉·肖克利于1955年离开贝尔实验室后创立了该实验室，标志着硅谷半导体技术发展的开始。该公司在将该地区确立为电子创新中心的进程中发挥了关键作用。
离开这所实验室的八位工程师后来创办了多家科技公司，塑造了北加州的工业发展。
该地点位于圣安东尼奥路，不再作为研究设施使用。游客应注意，该物业是私人所有，不向公众开放。
这里进行的研究为肖克利-奎伊瑟极限做出了贡献，该极限定义了硅太阳能电池的最大理论效率。如今，这一极限在评估太阳能电池性能时仍然是一个参考点。
始建
1955
创建者
William Shockley
GPS 坐标
37.40495,-122.11097
最近更新
2026年8月30日 20:03
